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全自动程控扩散炉         扩散炉是半导体器件及集成电路制造过程中用于对晶片进行扩散、氧化、淀积、退火及合金等工艺的热加工设备,主要由加热炉、净化工作台、推拉舟系统、气源柜、控制系统等组成。采用高精度智能化及性能极为先进的仪器,适合连续长时间、高精度、高稳定度控温工作,性能十分可靠。         可加工晶片尺寸:2—8英寸;工艺炉管:1-4管;推拉舟细分驱动,运行平稳可靠。可实现工艺类型有(根据工艺需要配套质量流量计或玻璃转子流量计);干氧氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化、磷扩散、硼扩散、退火、合金、玻璃钝化等工艺。         按控制方式分为微控扩散炉和程控扩散炉。程控扩散炉:能实现升温、恒温、降温的自动控制及过程控制,100步工艺能存储多条工艺曲线,偏移量自动修正,智能PID控制,具有断偶、超温保护、极限报警等功能。         微控扩散炉:可实现温度、推拉舟、气路的全自动控制及过程控制,可适用于各种工艺类型。控制器独立工作,互不干扰。由工控计算机编程操作、独立控制、显示,可实现工厂自动化管理,各炉管都有独立的温度、推拉舟、气路控制系统。 功能特点: ★全中文windows操作界面,可编辑参数,操作方便。 ★可保存多条工艺曲线,每条曲线可设置多步。 ★工艺曲线的自动运行控制功能。   ★自动运行中可暂停/继续运行功能。 ★工艺中可强制跳到下一个工艺步运行功能。   ★智能升降温斜率制功能。 ★PID参数自整定功能。   ★系统故障的检测与报警功能。 ★智能悬臂推拉舟控制功能。  ★停电后断点继续运行功能。 ★工艺气体的程序控制功能(电磁阀/质量流量控制器)。★可根据用户的特殊要求增减或开发相应的功能。   主要技术指标: ★工作温度范围:300℃-1300℃;★恒温区长度范围:300mm-800mm; ★恒温区精度范围:600℃-1300℃≤±0.5℃;   300℃-600℃≤±1℃ ★开机重复性:±1℃     ★升温时间:60min; ★温速率可控范围:爬升率20℃m(最大)下降率5℃/min(最大)  
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本文阅读关键词:该系统是生产半导体器件和大规格集成电路的重要前工艺设备
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