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主要技术数据蒸发室： φ1100×1100mm 极限真空度： 3×10-4Pa 恢复真空：大气压至4X10-3Pa≤15min 基片烘烤：最高350℃ 辉光放电：直流3000V，500mA 电阻蒸发源： 5KW 电子束蒸发源： 4KW/8KW/10KW/15KW选配真空系统： K630扩散泵膜厚控制：光学监控/石英晶体监控耗水：约40L/min 耗电：约35KW
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